日前,西安交通大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院先進陶瓷研究所博士生戴培赟在楊建鋒教授指導(dǎo)下,用物理氣相傳輸法成功制備出多晶致密碳化硅陶瓷材料,首次在不需添加燒結(jié)助劑的條件下獲得了接近理論密度的純碳化硅塊體陶瓷材料,標志著西安交大在陶瓷研究方面獲得重要進展。
據(jù)了解,此方法完全不同于現(xiàn)有的碳化硅陶瓷的制備工藝,獲得的材料具有優(yōu)異的性能,在軍工、電子、機械等行業(yè)具有良好的應(yīng)用前景,此技術(shù)已申請國家發(fā)明專利。
來源:中國質(zhì)量報
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