第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成立

　　近日，由第三代半導體相關的科研機構、大專院校、龍頭企業(yè)等４１家單位籌建的第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟在北京成立。科技部副部長曹健林出席了成立大會并為聯(lián)盟揭牌。聯(lián)盟第一屆理事會第一次工作會同期召開，選舉了聯(lián)盟理事長、秘書長。

　　據(jù)介紹，第三代半導體材料是近年來迅速發(fā)展起來的以ＧａＮ、ＳｉＣ和ＺｎＯ為代表的新型半導體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強的優(yōu)點，是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景，可望成為支撐信息、能源、交通、國防等發(fā)展的重點新材料，正在成為全球半導體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。

　　與此相關技術的突破將引發(fā)科技變革并重塑國際半導體產(chǎn)業(yè)格局。美、日、歐、韓等發(fā)達國家高度重視并已部署國家計劃搶占戰(zhàn)略制高點。我國政府也十分重視第三代半導體材料與器件的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。在政府的持續(xù)部署支持下，我國材料研發(fā)的整體水平與國際上差距不大，如在第三代半導體材料第一個產(chǎn)業(yè)化的應用——半導體照明方面，已經(jīng)在關鍵技術上實現(xiàn)突破，創(chuàng)新應用國際領先。

　　此次成立的聯(lián)盟，將圍繞產(chǎn)業(yè)鏈構建創(chuàng)新鏈，促進產(chǎn)學研合作以及跨界應用的開放協(xié)同創(chuàng)新，推動產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系的建設，培育形成一批擁有自主知識產(chǎn)權、知名品牌和市場競爭力強的骨干企業(yè)群，形成全國一盤棋的發(fā)展合力，抓住換道超車的歷史性機遇，實現(xiàn)創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展，在國際上搶占產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點，重構全球半導體產(chǎn)業(yè)格局。（記者郭濤）

來源：中國高新技術產(chǎn)業(yè)導報

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