打造半導(dǎo)體特色工藝基地 中芯紹興項(xiàng)目開工

　　5月18日，距離中芯國(guó)際與紹興市相關(guān)方面簽署合資協(xié)議僅79天，中芯集成電路制造（紹興）項(xiàng)目舉行開工奠基儀式。據(jù)悉，該項(xiàng)目將聚焦于微機(jī)電（MEMS）和功率器件等集成電路特色工藝制造，包括晶圓與模組代工，打造綜合性的特色工藝基地。該項(xiàng)目的快速啟動(dòng)，顯示出中芯國(guó)際在加速推進(jìn)先進(jìn)工藝的同時(shí)，也在加強(qiáng)特色工藝部分的建設(shè)。

（圖片來源 互聯(lián)網(wǎng)）

　　將打造特色工藝基地

　　資料顯示，中芯集成電路制造（紹興）有限公司由中芯國(guó)際、紹興市政府、盛洋集團(tuán)共同出資設(shè)立。合資項(xiàng)目總投資58.8億元，將引進(jìn)一條8英寸生產(chǎn)線，面向微機(jī)電（MEMS）和功率器件集成電路領(lǐng)域，專注于晶圓和模組代工，持續(xù)投入研發(fā)并致力于產(chǎn)業(yè)化。

　　從該項(xiàng)目的推進(jìn)速度可以看出，中芯國(guó)際對(duì)其十分重視——合資雙方在簽署協(xié)議后僅79天就啟動(dòng)了開工奠基儀式。根據(jù)中芯國(guó)際透露出來的信息，項(xiàng)目建設(shè)將于2019年3月完成廠房結(jié)構(gòu)封頂，9月設(shè)備搬入，2020年1月正式投產(chǎn)。

　　中芯國(guó)際聯(lián)席CEO趙海軍在奠基儀式上表示，中芯國(guó)際對(duì)這個(gè)項(xiàng)目充滿信心，將盡力擴(kuò)大市場(chǎng)份額、不斷完善產(chǎn)品鏈，快速占據(jù)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位，使中芯紹興與中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈上的差異化互補(bǔ)和協(xié)同發(fā)展，打造一個(gè)國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的特色工藝半導(dǎo)體企業(yè)。

　　隨著智能化社會(huì)的到來，物聯(lián)網(wǎng)、車載、工控等應(yīng)用領(lǐng)域市場(chǎng)蓬勃發(fā)展，基于特色工藝的MEMS與功率器件是智能化的核心之一，而要想實(shí)現(xiàn)MEMS與功率器件的開發(fā)與制造，成熟特色工藝的發(fā)展是必不可少的。日前在說明會(huì)上，趙海軍也提到，中國(guó)市場(chǎng)面臨巨大成長(zhǎng)機(jī)遇，尤其消費(fèi)電子與物聯(lián)網(wǎng)普及應(yīng)用，中芯要占好區(qū)位優(yōu)勢(shì)。

　　堅(jiān)持“兩條腿走路”策略

　　中芯國(guó)際一直在堅(jiān)持“先進(jìn)工藝與成熟工藝兩條腿走路”的發(fā)展策略。在先進(jìn)工藝方面，日前中芯國(guó)際表示將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開始試產(chǎn)14nm FinFET工藝。其實(shí)，成熟特色工藝也一直在中芯國(guó)際的發(fā)展中占有重要地位，在公司營(yíng)收及獲利上均占據(jù)半壁江山，滿足客戶的大量需求。

　　特別是隨著物聯(lián)網(wǎng)的興起，特色工藝的重要性正日漸凸顯。物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)是半導(dǎo)體行業(yè)的重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域，不需要依賴先進(jìn)工藝制程，其產(chǎn)品設(shè)計(jì)和制程模式在成熟工藝下將非常匹配中國(guó)國(guó)內(nèi)企業(yè)。對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體公司來說，由于與國(guó)際先進(jìn)水平存在著1.5到2代的代差，因此在工藝平臺(tái)開發(fā)之初，就不能把力量?jī)H僅集中在標(biāo)準(zhǔn)工藝上，同時(shí)也要關(guān)注特色工藝的開發(fā)。對(duì)于特色工藝需求增溫，不單是中芯國(guó)際，國(guó)內(nèi)其他半導(dǎo)體制造公司也都非常重視特色工藝領(lǐng)域。中國(guó)企業(yè)應(yīng)對(duì)市場(chǎng)的策略是專注先進(jìn)工藝開發(fā)，同時(shí)在特色工藝上深耕細(xì)作，確保在業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)力。

　　這些年以來，中芯國(guó)際在特色工藝上也有很多突破。資料顯示，中芯國(guó)際的IGBT平臺(tái)從2015年開始建立，著眼于最新一代場(chǎng)截止型（Field Stop）IGBT結(jié)構(gòu)，采用業(yè)界最先進(jìn)及主流的背面加工工藝，包括Taiko背面減薄工藝、濕法刻蝕工藝、離子注入、背面激光退火及背面金屬沉積工藝等，已完成整套深溝槽（Deep Trench）+薄片（Thin Wafer）+場(chǎng)截止（Field-Stop）技術(shù)工藝的自主研發(fā)，并相應(yīng)推出600V～1200V等器件工藝，技術(shù)參數(shù)可達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。

　　在MEMS方面，中芯國(guó)際的MEMS方案主要集中在兩大主流應(yīng)用領(lǐng)域，一是MEMS麥克風(fēng)，是開放式結(jié)構(gòu)，目前已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)；二是慣性傳感器，是封閉式結(jié)構(gòu)，于2016年第二季度進(jìn)入量產(chǎn)。

　　競(jìng)爭(zhēng)壓力同樣巨大

　　盡管中國(guó)代工企業(yè)在特色工藝方面取得了很快的發(fā)展，可是面臨的競(jìng)爭(zhēng)壓力同樣巨大。與國(guó)內(nèi)廠商在14/16納米、28納米等先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上面臨臺(tái)積電南京廠與廈門聯(lián)芯的競(jìng)爭(zhēng)相似，國(guó)內(nèi)廠商在物聯(lián)網(wǎng)等特色工藝上面臨的國(guó)際企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)也越來越大。

　　格芯在成都投資晶圓生產(chǎn)線，第一期建設(shè)CMOS工藝產(chǎn)線，主要為180納米和130納米，引自新加坡技術(shù)，產(chǎn)能每月2萬(wàn)片，預(yù)計(jì)2018年年底投產(chǎn)；第二期22納米FD-SOI技術(shù)，引自德國(guó)技術(shù)，產(chǎn)能每月6.5萬(wàn)片，2019年下半年投產(chǎn)。一期二期完成后，總產(chǎn)能將達(dá)到8.5萬(wàn)片/月。FD-SOI技術(shù)具有低功耗、低成本優(yōu)勢(shì)，對(duì)國(guó)內(nèi)特色工藝市場(chǎng)需求有著極大吸引力。其應(yīng)用行業(yè)主要集中在移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)（如NB-IoT、GPS、NFC等）、射頻以及汽車電子（如微控制器、傳感器及ADAS系統(tǒng)）等方面。

　　此外，三星電子日前也宣布開始對(duì)外提供成熟的8英寸晶圓代工技術(shù)解決方案，為中小型企業(yè)提供多項(xiàng)目晶圓服務(wù)（MPW）。解決方案主要在eFlash、顯示器驅(qū)動(dòng)IC、指紋傳感器、RF/IoT等領(lǐng)域，并且在成熟的180nm、130nm、90nm技術(shù)之外，還包括了 65nm的eFlash以及70nm的顯示器驅(qū)動(dòng)IC的解決方案，其目標(biāo)同樣是在積極爭(zhēng)搶中國(guó)特色工藝代工市場(chǎng)。（記者 陳炳欣）

　　轉(zhuǎn)自：中國(guó)電子報(bào)

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