二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片研發(fā)成功

　　近日，復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、集成電路與微納電子創(chuàng)新學(xué)院團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)出全球首顆二維-硅基混合架構(gòu)閃存芯片，解決了長(zhǎng)期困擾行業(yè)的存儲(chǔ)速率技術(shù)難題。

　　如今，數(shù)據(jù)存取性能面臨著極致要求，傳統(tǒng)存儲(chǔ)器的速度與功耗已成為阻礙算力發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸。而此次復(fù)旦團(tuán)隊(duì)研發(fā)的閃存芯片，將二維超快閃存器件"破曉（PoX）"與成熟硅基 CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝深度融合，創(chuàng)造出"長(zhǎng)纓（CY-01）"架構(gòu)。芯片讀寫(xiě)操作速度快至20納秒，核心存儲(chǔ)單元擦寫(xiě)速度達(dá)到400皮秒，寫(xiě)入每比特?cái)?shù)據(jù)能耗僅0.644皮焦耳，性能遠(yuǎn)超傳統(tǒng)閃存。為解決二維材料與CMOS集成的難題，團(tuán)隊(duì)提出了創(chuàng)新的模塊化集成方案：先獨(dú)立制造二維存儲(chǔ)電路與

　　CMOS控制電路，再通過(guò)"分離制造-單片互連"模式及高密度互連技術(shù)完成集成，實(shí)現(xiàn)了原子尺度上二維材料和 CMOS襯底的緊密貼合，最終芯片制造良率高達(dá)94.3%。目前，該團(tuán)隊(duì)已為相關(guān)技術(shù)進(jìn)行了專(zhuān)利布局。

　　據(jù)悉，該團(tuán)隊(duì)下一步計(jì)劃建立實(shí)驗(yàn)基地，與相關(guān)機(jī)構(gòu)合作開(kāi)展自主的工程化項(xiàng)目。（郭冬玲）

　　轉(zhuǎn)自：中國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)報(bào)

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