南京大學(xué)模擬存算一體芯片研發(fā) 刷新計(jì)算精度紀(jì)錄

　　近日，南京大學(xué)物理學(xué)院繆峰教授和梁世軍教授團(tuán)隊(duì)提出了一種高精度模擬計(jì)算方案。該方案將模擬計(jì)算權(quán)重的實(shí)現(xiàn)方式從不穩(wěn)定、易受環(huán)境干擾的物理參數(shù)（例如器件電阻）轉(zhuǎn)向高度穩(wěn)定的器件幾何尺寸比，突破了限制模擬計(jì)算精度的瓶頸。

　　模擬計(jì)算作為一種不同于傳統(tǒng)數(shù)字計(jì)算的范式，可直接利用物理定律進(jìn)行運(yùn)算，在能效和速度方面具備明顯優(yōu)勢，因此近年來在AI硬件領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。

　　據(jù)介紹，南京大學(xué)研發(fā)團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)并驗(yàn)證了一款基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的模擬存內(nèi)計(jì)算芯片。結(jié)合權(quán)值重映射技術(shù)，該芯片在并行向量矩陣乘法運(yùn)算中實(shí)現(xiàn)了僅0.101%的均方根誤差，創(chuàng)下了模擬向量-矩陣乘法運(yùn)算精度的最高紀(jì)錄。

　　該芯片在-78.5℃和180℃的極端環(huán)境下依然能穩(wěn)定運(yùn)行，矩陣計(jì)算的均方根誤差分別維持在0.155%和0.130%的水平。此外，研究團(tuán)隊(duì)也在強(qiáng)磁場環(huán)境中對芯片輸出電流進(jìn)行了測量。結(jié)果顯示，芯片核心單元的輸出電流相較于無磁場條件的變化不超過0.21%。

　　轉(zhuǎn)自：中國電子報(bào)

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