我國(guó)在高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域獲突破

　　近日，由中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)主持、寧夏超導(dǎo)泛科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱"寧夏超導(dǎo)泛科技"）牽頭組織的"高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長(zhǎng)裝備、技術(shù)及應(yīng)用科技成果鑒定會(huì)"在寧夏銀川市舉辦。

　　據(jù)悉，寧夏超導(dǎo)泛科技成立于2024年12月，由寧夏盈谷實(shí)業(yè)股份有限公司、江西聯(lián)創(chuàng)超導(dǎo)技術(shù)有限公司等多家企業(yè)和自然人聯(lián)合投資設(shè)立。

　　鑒定會(huì)上，由中國(guó)科學(xué)院院士甘子釗領(lǐng)銜的專家委員會(huì)對(duì)項(xiàng)目進(jìn)行了全面評(píng)估。專家一致認(rèn)為，該技術(shù)填補(bǔ)了我國(guó)在高端硅晶體制造領(lǐng)域的多項(xiàng)空白，綜合性能達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。

　　據(jù)介紹，高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長(zhǎng)裝備、技術(shù)及應(yīng)用的關(guān)鍵，在于引入高溫超導(dǎo)磁體技術(shù)?？蒲袌F(tuán)隊(duì)針對(duì)高品質(zhì)大尺寸硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)瓶頸，研制出高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長(zhǎng)裝備，形成大尺寸硅單晶長(zhǎng)棒快速、高穩(wěn)定性、低含氧量的生長(zhǎng)工藝，實(shí)現(xiàn)大尺寸（12英寸以上）高品質(zhì)硅單晶的生產(chǎn)，經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益顯著。

　　項(xiàng)目報(bào)告顯示，寧夏超導(dǎo)泛科技自主研發(fā)的高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備及技術(shù)，可將硅片含氧量穩(wěn)定控制在5ppma（質(zhì)量百萬(wàn)分比）以下，硅棒頭尾利用率提升4%以上，生產(chǎn)效率提升12%，目前已拉出直徑達(dá)340毫米的高品質(zhì)硅棒。

　　中國(guó)科學(xué)院院士甘子釗在評(píng)審中表示："這是國(guó)際上首次將高溫超導(dǎo)技術(shù)應(yīng)用于磁控直拉單晶生長(zhǎng)，為高溫超導(dǎo)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化做了很多開(kāi)創(chuàng)性的工作，開(kāi)辟了超導(dǎo)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化新賽道。"他特別提到，該技術(shù)對(duì)實(shí)現(xiàn)"雙碳"目標(biāo)具有戰(zhàn)略意義。

　　專家委員會(huì)認(rèn)為，該項(xiàng)目解決了磁控條件下大尺寸硅單晶生長(zhǎng)爐高溫度均勻性節(jié)能型熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、模塊化大尺寸傳導(dǎo)冷卻高溫超導(dǎo)磁體設(shè)計(jì)、電-磁-熱-流體多場(chǎng)耦合下硅單晶生長(zhǎng)分析與控制等關(guān)鍵技術(shù)難題，取得多項(xiàng)創(chuàng)新性技術(shù)成果?？蒲袌F(tuán)隊(duì)研制的高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長(zhǎng)裝備，在生產(chǎn)實(shí)踐中得到了應(yīng)用，這表明該項(xiàng)目總體技術(shù)水平已達(dá)國(guó)際領(lǐng)先。（記者 魏依晨）

　　轉(zhuǎn)自：科技日?qǐng)?bào)

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